Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://dspace.bdpu.org:8080/xmlui/handle/123456789/719
Назва: Research into effect of electrochemical etching conditions on the morphology of porous gallium arsenide
Інші назви: -
Автори: Богданов, Ігор Тимофійович
Сичікова, Яна Олександрівна
Лопатіна, Ганна Олександрівна
Цибуляк, Наталя Юріївна
Вамболь, В.
Вамболь, С.
Bogdanov, Ihor
Suchikova, Yana
Lopatina, Hanna
Tsybuliak, Natalia
Vambol, S.
Vambol, V.
Ключові слова: арсенід галію
електрохімічне травлення
мор-фологія
поруваті напівпровідники
умови травлення
Дата публікації: 2017
Видавництво: Eastern-European Journal of Enterprise Technologies
Бібліографічний опис: Research into effect of electrochemical etching conditions on the morphology of porous gallium arsenide / С. Вамболь, І. Богданов, В. Вамболь, Я. Сичікова, Г. Лопатіна, Н. Цибуляк // Eastern-European Journal of Enterprise Technologies. – 2017 Vol. 6, Issue 5-90. – P. 22–31.
Короткий огляд (реферат): Проведено удосконалення способу формування поруватого арсеніду галію у розчині соляної кислоти. Досліджено основні закономірності формування поруватих просто¬рів. Показано, що морфологічні властивості por-GaAs залежать від умов травлення. Досліджено вплив щільності струму, часу травлення та складу електроліту на поверхневу поруватість, товщину пору-ватого шару та діаметр пор
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://dspace.bdpu.org:8080/xmlui/handle/123456789/719
Розташовується у зібраннях:Статті

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
Research into effect of electrochemical etching conditions on the morphology of porous gallium arsenide.pdf1,95 MBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.