Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://dspace.bdpu.org:8080/xmlui/handle/123456789/770
Назва: Спосіб отримання високопоруватого арсеніду галію
Інші назви: -
Автори: Сичікова, Яна Олександрівна
Ковачов, Сергій Сергійович
Богданов, Ігор Тимофійович
Suchikova, Yana
Kovachov, Sergii
Bogdanov, Ihor
Дата публікації: 2019
Видавництво: Міністерство економічного розвитку і торгівлі України
Бібліографічний опис: Патент на корисну модель 133143 U Україна, МПК (2019.01) C30B 29/42 (2006.01), B82B 3/00, B82Y 40/00 Спосіб отримання високопоруватого арсеніду галію / І. Т. Богданов, Я. О. Сичікова, С. С. Ковачов ; власник Бердянський державний педагогічний університет. – № u201810292 ; заявл. 16.10.2018 ; опубл. 25.03.2019, бюл. № 6
Короткий огляд (реферат): Спосіб отримання високопоруватого арсеніду галію включає обробку поверхні монокристалічного GaAs шляхом електрохімічного травлення. Електрохімічне травлення проводять обробкою монокристала GaAs (100) у розчині електроліту 12Н2О+3НСl+1НВr протягом (15-20) хвилин, при щільності струму j=200 mA/cm2.
Опис: Робота була виконана в рамках наукових держбюджетних досліджень: – «Наноструктуровані напівпровідники для енергоефективних екологічно безпечних технологій, що підвищують рівень енергозбереження та екологічної безпеки урбосістеми» (державний реєстраційний номер 0116U006961); – «Розробка технологи оцінювання показників якості та безпеки продуктів нанотехнологій протягом життєвого циклу» (державний реєстраційний номер 0117U003860).
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://dspace.bdpu.org:8080/xmlui/handle/123456789/770
Розташовується у зібраннях:Патенти

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
Patent. Sposib otrymannya vysokoporuvatoho arsenidu haliyu № u201810292.pdf228,78 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.